" alt="青島中岸銳科智能技術(shù)有限公司">
ZA-670H中岸絲測(cè)試儀電流150A可定制使用智能絲測(cè)試儀是一款用于小型熔斷器性能測(cè)試的用儀器，用于管熔斷時(shí)間、熔斷電流的檢測(cè)，
滿足標(biāo)準(zhǔn)G 9364.1-2015 、GB 9364.3-2018相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中的熔斷、耐久性試驗(yàn)要求。
本儀器采用7寸顯示觸摸屏顯示和參數(shù)設(shè)置，采用ARM控制器進(jìn)行控制采集，試驗(yàn)電流高達(dá)200A的試驗(yàn)設(shè)備。
具有操作簡(jiǎn)便，智能可靠等特點(diǎn)。
|
|
項(xiàng)目 |
要求及指標(biāo) |
|
|
輸入電壓范圍 |
220V±10﹪，50Hz/60Hz |
|
|
測(cè)試電流范圍 |
0.5~150A，1﹪RD±0.2﹪fs |
|
|
測(cè)試開路電壓精度 |
1﹪RD±0.2﹪fs |
|
|
試驗(yàn)?zāi)Ｊ?/span> |
熔斷時(shí)間測(cè)試 M1和耐久性測(cè)試M2 |
|
|
測(cè)試時(shí)間范圍
|
M1 模式時(shí)間范圍:10mS--60分鐘 M2 模式時(shí)間范圍：10mS--100小時(shí) |
|
|
耐久性時(shí)間設(shè)置 |
0~99H59M |
|
|
次數(shù)設(shè)置 |
0~9999次 |
|
|
時(shí)間分辨率 |
10ms |
|
|
測(cè)試電流步 |
50mA~1A，可設(shè)置 |
|
|
測(cè)試電流精度 |
M1 模式< ±0.4﹪SET + 50mA（‘SET’為設(shè)置數(shù)值）， M2 模式<±0.5﹪SET + 100mA（‘SET’為設(shè)置數(shù)值） |
|
|
測(cè)試時(shí)間精度 |
M1 模式< ±10mS+0.3﹪RD（‘RD’為實(shí)際工作時(shí)間數(shù)值）， M2 模式<±10mS+0.5﹪RD（‘RD’為實(shí)際工作時(shí)間數(shù)值） |
|
|
顯示方式 |
7 寸觸摸屏顯示 |
|
|
控制方式 |
FPGA+ARM 控制 |
|
|
其他 |
支持外接 U 盤拷貝試驗(yàn)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)保存功能，免費(fèi)開放通信接口及提供底層通信協(xié)議 |
以下是這個(gè)系列的直流電子負(fù)載在汽車電子行業(yè)的發(fā)電機(jī)測(cè)試中應(yīng)用的具體案例。直流電子負(fù)載在發(fā)電機(jī)測(cè)試的應(yīng)用案例在進(jìn)行發(fā)電機(jī)測(cè)試時(shí)，需要電子負(fù)載能夠從發(fā)電機(jī)的怠速到全速分為四個(gè)不同的項(xiàng)目，模擬發(fā)電機(jī)在汽車運(yùn)行時(shí)各種狀況下的發(fā)電性能。在這整個(gè)的過(guò)程當(dāng)中，需要實(shí)時(shí)觀測(cè)電壓和電流數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)的負(fù)載箱是不能滿足這一要求的，且測(cè)試數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確，所以就必須要使用業(yè)的電子負(fù)載來(lái)進(jìn)行測(cè)試。那么，又為什么要選用艾德克斯ITECH的這款電子負(fù)載系列來(lái)進(jìn)行汽車發(fā)電機(jī)的測(cè)試呢？原因就是它不僅滿足測(cè)試需求，而且優(yōu)勢(shì)非常顯著。微分結(jié)構(gòu)函數(shù)中，波峰與波谷的拐點(diǎn)就是兩種結(jié)構(gòu)的分界處，便于識(shí)別器件內(nèi)部的各層結(jié)構(gòu)。在結(jié)構(gòu)函數(shù)的末端，其值趨向于一條垂直的漸近線，此時(shí)代表熱流傳導(dǎo)到了空氣層，由于空氣的體積無(wú)窮大，因此熱容也就無(wú)窮大。從原點(diǎn)到這條漸近線之間的x值就是結(jié)區(qū)到空氣環(huán)境的熱阻，也就是穩(wěn)態(tài)情況下的熱阻。利用結(jié)構(gòu)函數(shù)識(shí)別器件封裝內(nèi)部的“缺陷”：對(duì)比上面兩個(gè)器件的剖面結(jié)構(gòu)，固晶層可見明顯差異。如下圖，左邊為正常產(chǎn)品，右邊為固晶層有缺陷的產(chǎn)品。 http://qsbdvgn.cn
